熱門關(guān)鍵詞: TI/德州儀器國巨電阻順絡(luò)電感風(fēng)華電容ST/意法半導(dǎo)體
0755-83206860
PI6C48535-11BLIEX是專為高速時(shí)鐘信號(hào)分配與格式轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)的集成電路。其核心功能是通過2:4多路復(fù)用架構(gòu),將兩類輸入源——單端信號(hào)(LVCMOS/LVTTL)或晶體振蕩器——轉(zhuǎn)換為4路差分LVPECL輸出。這種設(shè)計(jì)解決了復(fù)雜電子系統(tǒng)中時(shí)鐘同步的痛點(diǎn):在FPGA、高速交換芯片或數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中,多路低抖動(dòng)、抗干擾的時(shí)鐘信號(hào)需從單一源高效分發(fā)。
1. 電氣性能
§ 頻率支持:最高500MHz,滿足5G基站、光模塊等高頻場景需求。
§ 電源容差:3.3V±5%(3.135V–3.465V),適應(yīng)工業(yè)電源波動(dòng)環(huán)境。
§ 信號(hào)轉(zhuǎn)換:輸入兼容1.8V–3.3V LVCMOS/LVTTL電平,輸出擺幅≥800mV(LVPECL標(biāo)準(zhǔn)),確保信號(hào)完整性。
2. 時(shí)序與抖動(dòng)性能
§ 傳播延遲僅1.5ns(典型值),全溫度范圍內(nèi)偏差<±200ps,減少多通道相位誤差。
§ 集成低抖動(dòng)鎖相環(huán)(PLL),輸出時(shí)鐘抖動(dòng)<1ps RMS,優(yōu)于同類競品如ON Semi NB3L553。
3. 物理設(shè)計(jì)
§ 封裝:20-TSSOP(厚度1.0mm,引腳間距0.635mm),兼容高密度PCB布局,散熱效率較QFN提升15%。
§ 溫度適應(yīng)性:-40°C至85°C寬溫認(rèn)證,通過JESD22-A104F循環(huán)沖擊測試。
1. 通信基礎(chǔ)設(shè)施
在基站RU(射頻單元)中,將主控FPGA輸出的LVCMOS時(shí)鐘轉(zhuǎn)換為4路LVPECL信號(hào),驅(qū)動(dòng)ADC/DAC陣列,避免采樣時(shí)鐘偏移。
2. 數(shù)據(jù)中心硬件
用于服務(wù)器PCIe Gen4時(shí)鐘樹架構(gòu),通過LVPECL的低電磁干擾(EMI)特性,降低SSD/NVMe存儲(chǔ)鏈路誤碼率。
3. 工業(yè)控制系統(tǒng)
在運(yùn)動(dòng)控制器中分配多軸編碼器時(shí)鐘,-40°C冷啟動(dòng)保證機(jī)器人產(chǎn)線穩(wěn)定運(yùn)行。
相較瑞薩9DBL0242或安森美NB3L553,PI6C48535-11BLIEX的核心優(yōu)勢在于:
· 集成多路復(fù)用器:支持雙輸入源冗余切換(如主/備晶振),提升系統(tǒng)可靠性;
· 無外部元件設(shè)計(jì):內(nèi)置晶體振蕩器匹配網(wǎng)絡(luò),減少PCB面積占用30%;
· 能效優(yōu)化:靜態(tài)電流<85mA(全負(fù)載),功耗較上一代Pericom方案降低22%。
· 布局建議:輸出走線需100Ω差分阻抗匹配,長度偏差≤50mil;
· 電源去耦:每個(gè)VCC引腳配置10nF+1μF MLCC電容,抑制同步開關(guān)噪聲(SSN);
· 散熱處理:在-40°C環(huán)境工作時(shí),建議通過散熱過孔連接封裝中心焊盤與內(nèi)層銅箔。
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